การสร้างกันน์ออสซิลเลเตอร์ย่านความถี่ X เพื่อการศึกษา
คำสำคัญ:
ไมโครเวฟ, ย่านความถี่ X, กันน์ออสซิลเลเตอร์, วัสดุไดอิเล็กทริก, โพรงเรโซแนนซ์บทคัดย่อ
งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อสร้างกันน์ออสซิลเลเตอร์ (Gunn oscillator) ย่านความถี่ X ที่ปรับความถี่ได้ สำหรับการศึกษาและทดลองทางไมโครเวฟ อุปกรณ์ทำงานบนหลักการปรับโพรงเรโซแนนซ์ (resonant cavity perturbation) โดยใช้วัสดุไดอิเล็กทริกเป็นตัวเปลี่ยนสนามไฟฟ้าในโพรง ผลการทดสอบแสดงว่าอุปกรณ์ต้นแบบสามารถปรับความถี่ได้ในช่วง 11.1034 ถึง 13.0345 GHz (จากการทดลองเลื่อนหาจุดต่ำสุดของคลื่นนิ่ง) และช่วงการปรับด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกหลักอยู่ที่ 11.865 ถึง 12.355 GHz วัสดุที่ใช้ทดสอบได้แก่ Polytetrafluoroethylene (PTFE, เทฟลอน), Polyvinyl chloride (PVC, พีวีซี) และ Polymethyl methacrylate (PMMA, อะคริลิก) โดยอะคริลิกแสดงความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่างตำแหน่งการแทรกกับความถี่ได้ดีที่สุด อุปกรณ์นี้จึงมีศักยภาพสูงสำหรับการประยุกต์เป็นชุดทดลองด้านทัศนศาสตร์ไมโครเวฟและเทคโนโลยีการสื่อสารคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า
เอกสารอ้างอิง
Butts, L., & El-Ghazaly, S. M. (2023). The wideband tunability of double Gunn diodes. AIP Advances, 13(3), 035322.
Hasan, M., Nishiyama, E., & Toyoda, I. (2022). Multi-layer approach of polarization agile oscillating-type active integrated array antennas for RF-transmitter front-end. International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 14(2), 151–158.
Hayt, W. H., Jr., & Buck, J. A. (2012). Engineering electromagnetics (8th ed.). McGraw Hill.
Lüy, Ü. (2007). Millimeter wave Gunn diode oscillators [Master's thesis, Middle East Technical University].
Solano, M. A., Ipiña, J. S., Zamanillo, J. M., & Pérez-Vega, C. (2002). X-band Gunn diode oscillator for a multiple-frequency continuous-wave radar for educational purposes. IEEE Transactions on Education, 45(4), 316–319.
ดาวน์โหลด
เผยแพร่แล้ว
รูปแบบการอ้างอิง
ฉบับ
ประเภทบทความ
หมวดหมู่
สัญญาอนุญาต
ลิขสิทธิ์ (c) 2025 วารสารวิชาการ ปขมท.
อนุญาตภายใต้เงื่อนไข Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
